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FBR硅烷流化床法顆粒硅
ZN901A:金屬雜質含量≤15ppbw
ZN901:金屬雜質含量≤100ppbw
1、制造成本更低;
2、純度可達電子級;
3、適用于CZ直拉單晶;
4、擁有自主知識產權的硅烷流化床技術。
GCL改良西門子法多晶硅
特級免洗致密
特級免洗菜花
特級免洗珊瑚料
1、自主研發冷氫化工藝,擁有單套產能20萬噸的生產裝置;
2、行業先進的還原工藝和涂層技術,大幅降低還原電耗;
3、滿足高效N型單晶、一爐多根單晶對高純多晶硅的要求。
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