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| 鑫多晶S4系列 | S4H6：158.75 ±0.25mm S4H9: 166.00 ±0.25mm |
1、采用全新的共摻雜技術，解決多晶電池片光衰問題； 2、電阻率優化設計，更適用于PERC高效電池工藝； 3、優化硅片尺寸設計有效提高后端組件輸出功率。 |  |
| 鑫多晶TS+系列 |
TS+H6：158.75 ±0.26mm TS+H9: 166.00 ±0.25mm |
1、創新“鑫絨面”濕法黑硅技術； 2、提升4W-6W組件功率（60片型）； 3、匹配PERC技術，帶來額外效率提升； |  |
| 鑫單晶G4鑄錠單晶系列 |
JG4H6:158.75 ±0.25mm JG4H9:166.00 ±0.25mm |
1、平均轉換效率接近直拉單晶； 2、先進的鑄錠工藝，有效控制結構缺陷； 3、低成本、低衰減、高發； 4、可制備最高435W（72PCS）高效PERC組件； 5、切割方式：金剛線切割。 |  |
| 直拉單晶系列 |
M2：156.75 ±0.25mm FSQ:158.75mm全方片 M6: 166.00 ±0.25mm | 1、P型或N型 2、間隙氧含量：≤8E+17at/cm³ 3、替位碳含量：≤5E+16at/cm³ 4、位錯密度：≤500cm-2 5、表面晶向：＜100＞±3° 6、切割方式：金剛線切割 |  |
