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              產品介紹

              鑫單晶G1硅片
            3. 2011年發布了“鑫單晶”類單晶硅片,其轉換效率最高可達18.5%,接近傳統的直拉單晶硅片;
            4. “鑫單晶”的成本要低于直拉單晶硅片,與定向凝固多晶鑄錠成本相近;
            5. 鑫單晶硅片光衰減要優于直拉單晶硅片,平均低一個百分點以上。
            6. 鑫單晶G2硅片
            7. 2013年12月,公司發布了其第二代類單晶硅片產品-“鑫單晶G2”,并宣布其進入商業化量產。
            8. 相較于2011年發布的第一代類單晶“鑫單晶G1”產品,“鑫單晶G2”平均光電轉換效率提升了1.1%,硅片性能取得大幅度提升,可用于制備280/335W(60/72PCS)以上的電池組件。
            9. 相較于以傳統直拉法制得的單晶產品,“鑫單晶G2”在電池制備過程中有0.5%的額外效率增益,光衰平均低1%,同時具有轉換效率相近、面積大、封裝損失低等特點,是單晶鑄錠技術取得的重大產品突破。
            10. 鑫單晶G3-全新的鑄錠技術平臺
              第四代鑄錠單晶硅片產品——G4

              • G4鑄錠單晶硅片較上一代G3產品效率提升0.10~0.15%
              • G4已在部分客戶實現批量導入,同產線、同工藝條件下與直拉單晶效率差值0.2%以內
              • PERC+SE電池工藝條件下,G4量產平均效率均值>22.1%,外觀完美
              • 鑄錠單晶產品尺寸靈活,未來更傾向于166尺寸
              • 以158.75尺寸硅片、72片版型為例,組件功率全面突破400Wp,檔位更為集中
              • 適用于PERC\MWT\MBB\雙面\topcon等各種電池工藝
              • 適用于半片、拼片、疊瓦組件等各種組件技術
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